光刻機美國實驗室小型光刻機

172納米 全新加工原理

傳統(tǒng)1 72 nm光源的低輸出功率阻礙了該波長在研究和生產中的廣泛應用。 π2 -CYGNI克服了這一障礙，并揭示了1 72nm的真正能力-全新化學驅動方法，反應方式和加工技術。

紫外線不僅僅用于光刻和固化！

全新能量驅動方式

紫外線弧光燈可提供較高的平均功率。 準分子紫外線源提供高光子通量。 π2 -CYGNI提供高平均功率和高光子通量- 無需主動或外部冷卻。

高功率和高光子通量的這種獨特組合包裝在便攜的封裝內，并引發(fā)了其他光源無法實現(xiàn)的大面積反應和過程。

全新技術燈具

每個π2 -CYGNI的是一個超?。?lt;4毫米）平面微腔放電燈。 與傳統(tǒng)的弧光放電燈相比，廣域發(fā)射提供了卓越的均勻性，同時消除了對復雜的聚光，準直和均化光學器件的需求。

紫外線無泄漏

在π2 -CYGNI之前，產生紫外線通常意味著產生有毒物質，低轉換效率和高設備成本。 π2 -CYGNI通過提供一種環(huán)保且節(jié)能的解決方案打破了這些障礙。 π2

-CYGNI的制造和使用過程中不使用有毒材料，在生產過程中使用π- CYGNI可以減少化學材料和水的消耗。 有效的降低了使用成本，即成本僅是使用其他1 72 nm光源成本的一小部分。

光刻機美國實驗室小型光刻機

輸出強度   > 10 mW/cm2

強度均勻性   < 3%

峰值輸出波長  172 nm

-3dB寬度(FWHM)    8.9 nm

發(fā)光面積   43 mm x 43 mm

預熱時間（從0到95％）  < 2 s

直流輸入電壓  12 V

電源輸入電壓  110-220 V / 50-60 Hz

氮氣/氬氣流速*     0.5-1 SCFM

壽命   > 5000 hours

功耗   < 25 W

傳輸環(huán)境：氮氣，氬氣，UV級熔融石英，高真空

π2-Cygni 系統(tǒng)參數(shù)

π-Cygni消除了對特定光刻膠化學物質的需求

由于光具有高能量（每個光子7 .2eV），現(xiàn)在幾乎可以將任有機聚合物用作光刻膠！π2-CYGNI的1

72nm可實現(xiàn)更高分辨率的成像，使用簡單且廉價的光刻膠可以消除傳統(tǒng)基于DNQ的光刻膠系統(tǒng)產生的堿廢物。

新型，新的可能性

重新定位傳統(tǒng)的光刻膠。 由于曝光機制的性質，不再需要光敏劑。 簡而言之，π2-CYGNI分解有機聚合物鏈，直到它們揮發(fā)和蒸發(fā)。

此過程是通用的-幾乎所有有機聚合物現(xiàn)在都可以用作光刻膠，即使是固體形式也是如

此。

干/正/負處理-由您決定！

由于有機膜質量減少，在曝光期間產生圖像，因此消除了對單獨顯影步驟的需要。

由此產生的高對比度足以用于其他過程，從而減少了處理時間并減少了廢物的生。為了滿足更苛刻的應用，可以在曝光后對有機聚合物進行進一步處理以提高分辨率。 但是，與傳統(tǒng)光刻膠不

同，色調（正或負）由顯影液而不是敏化劑決定。 除了減少質量和蒸發(fā)外，由于鏈長減少，在曝光過程中聚合物中也會發(fā)生交聯(lián)。

無與倫比的單曝光分辨率

較短的波長  較高的分辨率。 與I  線光刻相比，π2-

CYGNI具有將分辨率提高50%的潛力。